1. 研究目的与意义及国内外研究现状

aln薄膜具有许多优良的性质：热导性好、电阻率高、声表面波传播速度高、击穿场强大、高机电耦合系数高等，且与重要的半导体材料性质相似。

在电子封装、压电换能器、紫外发光材料、声表面波器件等领域有广泛应用。

根据相关的文献，薄膜的共振频率与薄膜的压电系数，介电系数和弹性系数等都有关联，可以通过共振频率推算出上述系数，所以本文将对aln薄膜的共振频率对温度的变化关系进行研究。

2. 研究的基本内容

调研aln薄膜的晶体结构、性质、制备方法和应用；

学习pld的原理和操作；

学习xrd、椭偏仪、阻抗仪表征物相的原理；

3. 实施方案、进度安排及预期效果

大量阅读相关文献和书籍，对aln薄膜的背景知识进行详细的调研；

对于疑问的地方，及时与导师沟通交流；

尽早进入实验室，在导师的指导下逐渐掌握实验操作；

4. 参考文献

[1]qingming chen. fabrication and characterization ofaln thin film bulk acoustic waveresonator[d].pittsburgh:university of pittsburgh,2006.1-154.

[2]李小换. 和 薄膜结构及其性能的研究[d].北京：北京工业大学，2003：1-70.

[3]杨克涛，陈光辉.薄膜的研究进展[j].山东陶瓷，2005，28(1)：17-20.