1. 研究目的与意义（文献综述）

目的与意义

随着技术的不断创新，电子电路进入高速发展时代，电子信息领域的“摩尔定律”已逐渐失效，传统的电路元件在应对新功能、高速度、高可靠性、低功耗等方面，面临着严峻的挑战，想要进一步缩小半导体器件尺寸、提高其性能面临着物理机理和制备工艺上的双重限制。为了满足高速信息时代对电子电路高性能、高集成度的要求，国际学术界和产业界都在寻找和生产新的纳米级信息器件，用以改进电路结构、提高整体性能，忆阻器正是目前的研究中具有重大发展前景的一种。

忆阻器由美国加州大学伯克利分校的蔡少棠（leon chua）教授在1971年依据四种电路变量组合的对称性和完备性而提出。蔡少棠教授在文章中指出，根据传统的电路理论，三种二端口电路元件：电阻、电容、电感建立了四种电路变量：电压、电流、磁通量和电荷量之间的联系。上述的四个电路变量两两之间共可建立六种数学关系，其中的五种组合关系可由定义或者定律明确表示，只剩下磁通量与电荷量的关系没有明确的给出。蔡少棠教授从电路变量关系的完整性角度，定义了增量忆阻来描述、之间的关系：

2. 研究的基本内容与方案

基本内容

本次毕业设计主要研究新型电路元件——忆阻器的原理、性能及相关的电路设计方法。着重从以下几个方面进行研究：

1. 了解忆阻器的定义、特点及不同模型下的工作方式。

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   3. 研究计划与安排

   1-2周，查阅相关文献，根据导师安排完成翻译任务；

   2-3周，整理、复习、查阅相关文献资料，明确毕业设计的目的与要求，对毕业设计做明确的规划，完成毕业设计的开题报告；

   3-4周，查阅文献和教材，学习振荡器电路的工作原理，掌握多谐振荡器电路的设计方法；

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   4. 参考文献（12篇以上）

   [1] chua l o. memristor - the missing circuit element [j]. ieeetrans

   circuit theory, 1971,18(5): 507-519.

   [2] leon o c, sung m k. memristive devicesand systems[j].proceedings of the ieee, 1976,64(2): 209-223.

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