含憎水性成分的纳秒脉冲等离子体射流阵列放电特性及优化开题报告
2020-07-19 18:49:24
1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)
1大气低温等离子体射流阵列简介 大气压低温等离子体射流(appj)在传统介质阻挡放电的基础上,通过气流将放电空间产生的一些活性成分、激发态粒子导出到开放空间中,使得放电区域与工作区域分离,从而突破传统介质阻挡放电因放电空间狭小而带来的对待处理物体积的限制,能够灵活处理具有复杂表面的大尺寸物体。
其作为一种新型表面处理和改性方法,具有操作简单、无污染、稳定性高等显著优点[1]。
使用appj对材料进行表面改性时,工作区产生的大量高能粒子撞击被处理材料表面,能够将材料表面共价键、离子键等化学键打开,从而将改性所需要的活性集团和极性粒子引入,在不改变材料整体物理化学性质的前提下,提高材料表面的亲水性、憎水性、吸湿性等特性。
2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
传统方法通过介质阻挡放电在大气中产生低温等离子体,但由于其反应腔太过狭窄,对待处理物尺寸要求较高,而且插入的处理媒介也可能会影响等离子体的稳定性,因此限制了其进一步的应用。
大气压等离子体射流的等离子体放电区域和处理区域相分离,能够实现等离子体对复杂形状的大尺寸物体进行处理,因此具有良好的发展前景。
目前采用的等离子体作为憎水改性研究主要分为含氟型(cf4、c2f6)和含硅型(tms 、hmdso),采用含氟等离子体处理材料表面会产生大量温室气体氟气,从而增加对环境的负荷,因此含硅的等离子体更适合于工业化生产应用。
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