1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述

一、 zno/c3n4光催化剂的介绍

zno是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体光催化剂。禁带宽度为3.34ev,与tio2同属于宽禁带n型半导体氧化物。在常温下稳定，它五毒无味且没有污染。zno晶体结构为六方晶系，zn2 离子的配位数为4，o2-的配位数也是4，属于纤锌矿结构。zno具有良好的压电效应和生物安全性，因此，zno在陶瓷，屏蔽隐身，压电材料，光电材料，高效催化材料和磁性材料等方面具有广阔的发展前景。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

（一）.研究或解决的问题

1.通过掺杂的方法使zno光催化剂与类石墨的c3n4进行杂化，从而提高了zno光催化剂的催化活性，产生了可见光光催化活性，并且抑制了zno的光腐蚀。

（二）.研究手段（途径）