1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

随着社会的飞速发展以及信息化时代的到来，材料和能源对于科技的进步是愈发重要，半导体材料是信息技术的支柱，也是新型能源开发和利用的基础。

锗是人们最开始对半导体材料的应用，当时硅锗材料是半导体材料中最主要的部分，这就是第一代半导体材料，在当时引发了整个信息产业的飞跃。

此后，化合物半导体材料（主要是砷化镓等）显示出巨大的优越性能，这被称为第二代半导体材料，半导体材料得到飞速发展。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

zno是 ii-vi 族宽禁带半导体材料，它在室温下的禁带宽度约为3.37ev。

与其它半导体相比，它的激子束缚能可以达到60 mev。

由于它的激子不容易在室温及其以上温度下会被电离，从而实现高效率的紫外发射,所以zno在发光器件中得到应用。