缺陷对BCN二维材料电子结构调控的理论研究文献综述
2020-05-01 08:41:16
文 献 综 述 1.前言 碳以形形色色的样式普遍存于大气和地壳中。
由于其成键灵活性,它有各种各样五花八门的结构,遍及所有维度,零维的富勒烯,一维的碳纳米管、石墨烯纳米带,二维的石墨烯1和三维的石墨,可谓是包罗万象。
对于这些所有维度的石墨材料,其中.最基本的是二维的石墨烯,其它形式都是由石墨烯一一最基本构造单元2衍生而来。
石墨烯是理解其它碳同素异形体性质的基础。
2004年实验实现以来,3,4石墨烯,石墨单原子层展示了令人兴奋的不同寻常的特性,并给我们带来了我们期望的许多先进材料的革命。
5二维(2D)石墨烯比较其他碳纳米材料(富勒烯和碳纳米管)具有许多优势,如无质量的相对狄拉克费米子,室温量子霍尔效应,载体的高速流动,和有史以来测量的最大强度。
所有这些使石墨烯成为未来纳电子学的一个重要的候选材料。
6-8 与外来原子掺杂,如B和N,已经被证明是调整碳纳米管的电子性质并扩大其应用的有效方法。
9,10掺杂可以改变GNRs的电子性能。
马丁斯等人报道, ZGNRs边缘的B11和N12掺杂使得每个GNRs自旋轨道电荷传输性能不同; 最近相关研究表明BCN二维材料的电子结构可以通过缺陷来调控。
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