1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

一、引言

行波管是一种重要的微波放大器件，具有大功率、高效益、高增益、宽频带和长寿命等特点，广泛应用于雷达和通讯等国防重点工程，被誉为武器装备的”心脏”^[1-2]。其中耦合腔行波管是目前最主要的高功率微波放大器件^[3]。但由于耦合腔链慢波结构的固有特点，易产生三种类型的振荡^[4]：自激振荡、高次模式振荡和在截止频率处的边带振荡。为了消除这些振荡获得较高的增益，须在慢波线的一定区域放置衰减材料作为匹配负载吸收非设计模式波、抑制反射，从而确保给定的高频参量^[5]。电损耗型材料作为其中一类衰减材料受到广泛研究。

而氮化铝具有独特的物理性质和电子学特性, 被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料, 它可与多种基质材料相复合， 制成具有优异的电、热、力学性能的先进复合材料, 在微电子技术领域中有着广阔的应用前景^[6]。碳化硅作为微波衰减剂已进行了较多的研究, 一般认为碳化硅不仅吸波性能好, 而且具有耐高温、高强度、使用过程中性能稳定等优点^[7]。因此，在以sic基上，添加第二相aln，结合其两者优点，具有重要的应用前景。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

所要研究及解决问题：

1）提高sic的含量至70wt%，研究mgo-sio₂-y₂o₃烧结助剂及烧结工艺对aln-sic复相材料各性能的影响。

2）通过改变助剂含量及烧结工艺促使复相材料aln-sic致密化。