登录

  • 登录
  • 忘记密码?点击找回

注册

  • 获取手机验证码 60
  • 注册

找回密码

  • 获取手机验证码60
  • 找回
毕业论文网 > 文献综述 > 材料类 > 材料科学与工程 > 正文

单结非晶硅太阳能电池性能的模拟研究文献综述

 2020-06-09 22:41:16  

文 献 综 述

1.引言

当前人类面临的两大难题分别是环境的污染和能源的短缺,研究认为在未来的100年以后,世界将不再有化石类燃料,并且全球的生态环境已经在化石燃料的影响下严重的失衡,例如由二氧化碳等燃烧气体造成的酸雨和温室效应等。所以,当前最具影响力和最有价值的研发领域就是新型能源的开发,尤其是可再生性洁净能源的开发。太阳能作为取用不尽的纯净能源,对当前能源危机和环境污染问题正是雪中送炭,开发利用太阳能电池成为当务之急[1]

太阳能电池根据所用材料的不同,可分为:(1)无机太阳能电池:半导体硅(单晶、多晶、非晶、复合型等)和化合物半导体(GaAs、CuInSe2、CdTe、InP等);(2)有机太阳能电池(酞菁锌、聚苯胺、聚对苯乙炔等);(3)光化学太阳能电池(纳米Ti02等)。在各类电池中,硅仍是制造太阳能电池的主要材料,主要是因为工艺成熟,性能稳定,较高转换率以及环境污染小等优点,且已具有商业价值。在硅系列太阳电池中,单晶硅转化效率高,但其高昂的成本,限制了它的应用,而非晶硅在可见光内有较高的吸收系数,原材料来源广泛,可实现低成本的大面积薄膜沉积,使之较单晶硅太阳电池有更为广阔的应用前景[2]

2.非晶硅太阳电池简要介绍

2.1非晶硅太阳电池的结构

非晶硅太阳能电池基本结构有三种形式,即肖特基势垒型、异质结型和p-i-n型,其中最重要的是p-i-n型。

1.肖特基势垒型,这种结构太阳能由于其结构简单,制造方法简单是低成本太阳能电池。典型的结构是在不锈钢基板上沉积一层lμm厚的不参杂非晶硅薄膜,然后蒸镀一侧约5nm厚的高逸出功金属栅格作为项部接触电极。为减少阳光的反射,一般会在电池表面沉积一层反射层。与p-n结太阳能电池相比,肖特基势垒型电池的开路电压较低,故效率较低,因此为了改善电池性能。

在未掺杂的非晶硅和金属基底之间增加一层约0.1μm的磷参杂层n a#8212;Si:H,构成肖特基势垒的另一种结构MIS太阳能电池。选用功函数高的金属是为了产生较大的内建电位和开路电压。

2.异质结型(HI),一般异质结型太阳能电池结构是玻璃/ITO/a-Si:H(i)/A1,由ITO和i层a-Si:H组成异质结,这是因为ITO膜通常算作n型材料,而a-Si:H(i)是弱n型材料,所以它们可构成n -n型的异质结[5]。为了保证Al电极和非晶硅接触良好,尽可能降低欧姆电阻,通常在Al电极前制备一层n a.Si:H。由于光首先照射到具有较大禁带宽度的ITO层上,因而可以减小光在前区的吸收而使更多的光子进入非晶硅电活性层,这对短波收集效率的改善是有益的。异质结的转换效率较低,一般只有l%左右,开路电压一般小于0.5V[6]。故这种结构的太阳能电池,并未推广使用。

剩余内容已隐藏,您需要先支付 5元 才能查看该篇文章全部内容!立即支付

微信号:bysjorg

Copyright © 2010-2022 毕业论文网 站点地图