1. 毕业设计（论文）的内容和要求

毕业设计内容： （1）二硫化钼纳米薄片折叠结构的制备。

（2）二硫化钼纳米薄片折叠结构的表征和分析。

（3）毕业论文的撰写。

2. 参考文献

1. Li, H.; Wu, J.; Huang, X.; Lu, G.; Yang, J.; Lu, X.; Zhang, Q.; Zhang, H., Rapid and Reliable Thickness Identification of Two-Dimensional Nanosheets Using Optical Microscopy. ACS Nano 2013, 7, 10344-10353. 2. Zhao, Y.; Luo, X.; Li, H.; Zhang, J.; Araujo, P. T.; Gan, C. K.; Wu, J.; Zhang, H.; Quek, S. Y.; Dresselhaus, M. S.; Xiong, Q., Inter layer Breathing and Shear Modes in Few-Trilayer MoS2 and WSe2. Nano Letters 2013, 13, 1007-1015. 3. Yuan, X.; Tang, L.; Liu, S. S.; Wang, P.; Chen, Z. G.; Zhang, C.; Liu, Y. W.; Wang, W. Y.; Zou, Y. C.; Liu, C.; Guo, N.; Zou, J.; Zhou, P.; Hu, W. D.; Xiu, F. X., Arrayed van der Waals Vertical Heterostructures Based on 2D GaSe Grown by Molecular Beam Epitaxy. Nano Letters 2015, 15, 3571-3577. 4. Lin, Y. C.; Chang, C. Y. S.; Ghosh, R. K.; Li, J.; Zhu, H.; Addou, R.; Diaconescu, B.; Ohta, T.; Peng, X.; Lu, N.; Kim, M. J.; Robinson, J. T.; Wallace, R. M.; Mayer, T. S.; Datta, S.; Li, L. J.; Robinson, J. A., Atomically Thin Heterostructures Based on Single-Layer Tungsten Diselenide and Graphene. Nano Letters 2014, 14, 6936-6941. 5. Azizi, A.; Eichfeld, S.; Geschwind, G.; Zhang, K. H.; Jiang, B.; Mukherjee, D.; Hossain, L.; Piasecki, A. F.; Kabius, B.; Robinson, J. A.; Alem, N., Freestanding van der Waals Heterostructures of Graphene and Transition Metal Dichalcogenides. ACS Nano 2015, 9, 4882-4890.

3. 毕业设计（论文）进程安排

2017.01-2017.02 过渡金属硫属化合物材料的制备和厚度鉴定。

2017.02-2017.03 折叠结构的制备。

2017.03-2017.04 折叠结构的表征和分析。