1. 研究目的与意义（文献综述）

随着智能电网的快速发展，融合先进传感器的测量技术、通信技术、信息技术和控制技术的现代化电网初步形成，作为智能电网中的核心部分，ami 高级量测体系在其中发挥着重要的作用。电能计量装置是高级量测体系的重要组成部分，包括智能电表与智能计量终端等。各电网公司经过多年的规划与建设，已基本建成覆盖关口、专变、公变及居民用户的网、省、地三级计量自动化系统，其中既包括了各类计量自动化终端的大范围应用，同时智能电表的全面建设与应用也达到了较大的规模。

海量设备的投入运行对电能计量装置的质量提出了更加严酷的要求，即使是微小的故障和质量问题都将产生难以估量的影响。据统计，新装电能表第一年运行的平均故障率就达到900ppm，部分省市甚至高达6000ppm。居高不下的故障率水平不仅增加了电网的运行维护成本，造成电力资源浪费和经济损失，也对电力网的安全运行和用户安全用电造成一定的风险。

电能计量设备的主要组成部分包括cpu主板、电源模块、计量模块、通信模块和显示单元等。微处理器是电能计量设备工作的核心，微处理器的失效将直接导致整个电能计量设备的失效，因此，对电能计量设备中的微处理器开展可靠性的相关研究十分重要。

2. 研究的基本内容与方案

2.1研究的基本内容

研究的内容分为电能计量设备概念及研究现状、失效物理相关概念、可靠性仿真平台与方法、微处理器失效机理和微处理器寿命仿真五个方面。

2.1.1电能计量设备相关概念与研究现状

3. 研究计划与安排

第一周：下发本科毕业设计任务。

第二周-第三周：初步调研相关文献，了解研究背景、学习与本研究相关的知识概念，掌握前述的各研究内容基本情况，撰写开题报告。

第四周-第七周：深入调研文献、开展毕业设计，确定电能计量设备主要失效机理及其理论解释与寿命应力模型，完成外文翻译。

4. 参考文献（12篇以上）

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[2] hu c, tam s c, hsu f c, et al.hot-electron-induced mosfet degradation-model, monitor, and improvement[j].ieee transactions on electron devices, 1985, 32(2):375-385.

[3] alam m, mahapatra s. a comprehensive model ofpmos nbti degradation[j]. microelectronics reliability, 2005, 45(1):71-81.